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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 上海磐岳电子有限公司

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MJ11016产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:托盘

零件状态:停產

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A

电压 - 集射极击穿(最大值):120V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):4V @ 300mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值):1mA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 20A,5V

功率 - 最大值:200W

频率 - 跃迁:4MHz

工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-204AA,TO-3

供应商器件封装:TO-204(TO-3)

标准包装:100

其它名称:MJ11016OS

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