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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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产品型号MJ3001的概述

芯片MJ3001概述 MJ3001是一款高功率NPN双极性晶体管,主要用于音频放大器和其他高电流应用。由于其优良的电气性能和高效的散热特性,MJ3001被广泛应用于音响、功率放大器、开关电源以及其他需要高电流驱动的电路中。该芯片具有较高的增益和低的饱和压降,使其在需要大量功率传输的场合表现尤为出色。作为一种重要的半导体元件,MJ3001不仅在工业和消费电子中占有一席之地,还在多种创新应用中进行使用。 芯片MJ3001的详细参数 MJ3001的主要电气参数如下: - 类型: NPN双极型晶体管 - 最大集电极-发射极电压 (V_CE): 120V - 最大集电极电流 (I_C): 15A - 最大功率耗散 (P_D): 100W - 直流增益 (h_FE): 10到25 (在10A时) - 截止频率 (f_T): 3MHz - 工作温度范围 (T_j): -65°C到150°C - 封装...

产品型号MJ3001的Datasheet PDF文件预览

MJ2501  
MJ3001  
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON  
TRANSISTORS  
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES  
DESCRIPTION  
The MJ2501 is a silicon epitaxial-base PNP  
power transistors in monolithic Darlington  
configuration and are mounted in Jedec TO-3  
metal case. They are intented for use in power  
linear and switching applications.  
1
The complementary NPN type is the MJ3001.  
2
TO-3  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
R1 Typ. = 10 KΩ  
R2 Typ. = 150 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
PNP  
NPN  
MJ2501  
MJ3001  
80  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-base Voltage (IE = 0)  
Collector-emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
V
V
80  
5
V
10  
A
IB  
Base Current  
0.2  
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc ≤ 25 C  
150  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 200  
200  
Max. Operating Junction Temperature  
For PNP types voltage and current values are negative.  
1/4  
June 1997  
MJ2501 / MJ3001  
THERMAL DATA  
Rthj-case Thermal Resistance Junction-case  
Max  
1.17  
oC/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
ICER  
Collector Cut-off  
Current (RBE = 1 K)  
VCE = 80 V  
T case = 150 C  
1
mA  
o
VCE = 80 V  
5
mA  
ICEO  
IEBO  
Collector Cut-off  
Current (IB = 0)  
VCE = 30 V  
VCE = 40 V  
1
1
mA  
mA  
Emitter Cut-off Current VEB = 5 V  
(IC = 0)  
2
mA  
VCEO(sus) Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
(IB = 0)  
IC = 100 mA  
80  
V
VCE(sat)  
Collector-emitter  
Saturation Voltage  
IC = 5 A  
IC = 10 A  
IB = 20 mA  
IB = 50 mA  
2
4
V
V
VBE  
hFE  
Base-emitter Voltage  
DC Current Gain  
IC = 5 A  
VCE = 3 V  
VCE = 3 V  
3
V
IC = 5 A  
1000  
Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %  
For PNP types voltage and current values are negative.  
2/4  
MJ2501 / MJ3001  
TO-3 MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
11.00  
0.97  
TYP.  
MAX.  
13.10  
1.15  
MIN.  
0.433  
0.038  
0.059  
0.327  
0.748  
0.421  
0.649  
0.984  
0.157  
1.515  
1.187  
MAX.  
0.516  
0.045  
0.065  
0.351  
0.787  
0.437  
0.677  
1.023  
0.161  
1.547  
1.193  
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
1.50  
1.65  
8.32  
8.92  
19.00  
10.70  
16.50  
25.00  
4.00  
20.00  
11.10  
17.20  
26.00  
4.09  
38.50  
30.00  
39.30  
30.30  
A
D
P
C
G
R
P003F  
3/4  
MJ2501 / MJ3001  
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for the  
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. . .  
4/4  
配单直通车
MJ3001产品参数
型号:MJ3001
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
Base Number Matches:1
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