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产品型号MJD2955-1G的概述

芯片MJD2955-1G的概述 MJD2955-1G是一款NPN功率晶体管,通常被广泛用于放大器和开关电路。这种器件的设计目标是能够承受较高电压和电流,并在各种环境下表现出良好的热稳定性。作为一种典型的功率晶体管,MJD2955-1G的应用范围涵盖了音频放大器、电源管理、以及其他需要高功率整流或放大的电路。其具有相对较低的饱和电压,使得在开关应用中具有更高的效率。 在现代电子设计中,选择合适的功率器件对于提升系统性能至关重要。MJD2955-1G凭借其优越的电气特性和较为稳定的性能,成为了许多设计工程师的首选。随着技术的进步,该系列器件的使用逐渐向着更高的集成度和更低的功耗迈进,但MJD2955-1G依然在某些特定应用中保留着一席之地。 芯片MJD2955-1G的详细参数 MJD2955-1G的详细参数如下: 1. 极限工作条件: - 集电极—发射极电压(V_CE):-60V ...
配单直通车
MJD2955-1G产品参数
型号:MJD2955-1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:ROHS COMPLIANT, CASE 369-07, 3 PIN
针数:4
制造商包装代码:369
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.62
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1
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