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MJD2955-1G产品参数
型号:MJD2955-1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:ROHS COMPLIANT, CASE 369-07, 3 PIN
针数:4
制造商包装代码:369
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.62
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1
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