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MJD3055T4G产品参数
型号:MJD3055T4G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
针数:3
制造商包装代码:369C
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.58
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=225688
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=225688
Samacsys PartID:225688
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/MJD3055T4G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MJD3055T4G.jpg
Samacsys Pin Count:4
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name:DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C
Samacsys Released Date:2016-01-25 14:39:57
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1
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