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MJD32C1G产品参数
型号:MJD32C1G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3
制造商包装代码:CASE 369D-01
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.13
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1
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