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MJD45H11-1G产品参数
型号:MJD45H11-1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数:4
制造商包装代码:369
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.73
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/411926.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=411926
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=411926
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=411926
Samacsys PartID:411926
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/MJD45H11-1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MJD45H11-1G.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:MJD45H11-1G
Samacsys Released Date:2019-10-26 12:02:57
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1
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