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MJD45H11T4产品参数
型号:MJD45H11T4
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:0.62
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=179802
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=179802
Samacsys PartID:179802
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/MJD45H11T4.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MJD45H11T4.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name:DPAK (TO-252)
Samacsys Released Date:2015-07-12 18:13:02
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:20 W
最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHz
VCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1
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