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MJE800G产品参数
型号:MJE800G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TO-225
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
制造商包装代码:77-09
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.74
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):750
JEDEC-95代码:TO-225
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):1 MHz
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