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| 型号: | MM82C19N |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.86 |
| Is Samacsys： | N |
| 系列： | CMOS |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 31.915 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | MULTIPLEXER |
| 最大I（ol）： | 0.0016 A |
| 功能数量： | 1 |
| 输入次数： | 16 |
| 输出次数： | 1 |
| 端子数量： | 24 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 输出极性： | INVERTED |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5/15 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 0.3 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 600 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 600 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.334 mm |
| 子类别： | Multiplexer/Demultiplexers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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