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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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产品型号MMBD7000的概述

MMBD7000芯片概述 MMBD7000是一款广泛应用于电子设计中的双极型晶体管(BJT),其采用小型化设计,适用于高频及低噪声应用。这款芯片主要用于信号处理、开关控制及放大等领域,因其具有优良的电气特性和较大的工作频率范围,受到电子工程师的青睐。MMBD7000通常用于各种消费电子产品、通信设备及工业自动化系统中,表现出色。 MMBD7000的详细参数 在详细参数方面,MMBD7000的关键参数包括: - 最大集电极-基极电压 (V_CBO):50 V - 最大集电极-发射极电压 (V_CE):45 V - 最大发射极-基极电压 (V_EBO):5 V - 最大集电极电流 (I_C):150 mA - 最大功耗 (P_N):400 mW - 直流增益 (h_FE):100-300 - 截止频率 (f_T):200 MHz - 转移特性:良好的线性工作区,适合低噪声放大。 此外,MM...

产品型号MMBD7000的Datasheet PDF文件预览

Zowie Technology Corporation  
Dual Switching Diode  
3
ANODE  
1
CATHODE  
2
1
MMBD7000  
2
3
CATHODE/ANODE  
SOT-23  
MAXIMUM RATINGS  
Value  
100  
Symbol  
VR  
Unit  
Rating  
Reverse Voltage  
Vdc  
Peak Forward Current  
IF  
200  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
IFM( surge )  
500  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Max.  
Symbol  
PD  
Unit  
Characteristic  
Total Device Dissipation FR-5 Board(1) TA=25oC  
225  
1.8  
mW  
Derate above 25oC  
mW / oC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
JA  
556  
oC / W  
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA=25oC  
300  
2.4  
mW  
Derate above 25oC  
PD  
mW / oC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
JA  
417  
oC / W  
oC  
TJ,TSTG  
-55 to +150  
DEVICE MARKING  
MMBD7000=M5C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25oC unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Max.  
-
Symbol  
Min.  
Unit  
Vdc  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
( IBR=100uAdc )  
V(BR)  
100  
( IF=1.0 mAdc )  
( IF=10 mAdc )  
( IF=100 mAdc )  
550  
670  
750  
700  
820  
1100  
Forward Voltage  
VF  
IR  
mVdc  
uAdc  
( VR=50 Vdc )  
-
-
-
1.0  
3.0  
100  
Reverse Voltage Leakage Current  
( VR=100 Vdc, )  
( VR=50 Vdc, 125oC )  
Diode Capacitance  
( VR=0, f=1.0MHZ )  
CJ  
trr  
-
-
1.5  
4.0  
pF  
nS  
Reverse Recovery Time  
( IF=IR=10 mAdc, VR=5.0 Vdc, IR(REC)=1.0mAdc, RL=100  
)
x
x
(1) FR-5=1.0 0.75 0.062in.  
x
x
(2) Alumina=0.4 0.3 0.024in. 99.5% alumina.  
REV. : 0  
Zowie Technology Corporation  
Zowie Technology Corporation  
MMBD7000  
FIGURE 1. RECOVERY TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT  
820  
+10 V  
2 k  
0.1uF  
I
F
t
t
T
r
p
IF  
100uH  
t
T
10%  
90%  
rr  
0.1uF  
D.U.T.  
50 OUTPUT  
PULSE  
GENERATOR  
50 INPUT  
SAMPLING  
OSCILLOSCOPE  
i
= 1mA  
R(REC)  
I
R
V
R
OUTPUT PULSE  
(I = I = 10 mA; measured  
INPUT SIGNAL  
F
R
at i  
= 1mA  
R(REC)  
Notes: 1. A 2.0k variable resistor adjusted for a Forward Current (I ) of 10mA.  
F
2. Input pulse is adjusted so I  
is equal to 10mA.  
R(peak)  
3. t » t  
rr  
p
FIGURE 2. FORWARD VOLTAGE  
FIGURE 3. LEAKAGE CURRENT  
10  
1.0  
100  
10  
T =150oC  
A
T =125oC  
A
T =85oC  
A
T = -40oC  
A
T =85oC  
A
0.1  
T =25oC  
A
T =55oC  
A
1.0  
0.01  
0.001  
T =25oC  
A
0.1  
0.2  
10  
30  
40  
50  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
20  
V , FORWARD VOLTAGE ( VOLTS )  
F
V , REVERSE VOLTAGE ( VOLTS )  
R
FIGURE 4. CAPACITANCE  
0.68  
0.64  
0.60  
0.56  
0.52  
0
2
4
6
8
V , REVERSE VOLTAGE ( VOLTS )  
R
REV. : 0  
Zowie Technology Corporation  
配单直通车
MMBD7000产品参数
型号:MMBD7000
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:SHANGHAI LUNSURE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO LTD
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61
Is Samacsys:N
Base Number Matches:1
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