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ONSEMI MMBT2907ALT1G
中文翻译
General Purpose Transistors
通用晶体管
晶体晶体管
ONSEMI MMBT2907ALT1G
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通用晶体管
晶体晶体管

MMBT2907ALT1G详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Contact Manufacturer
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
制造商包装代码
CASE 318-08
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
风险等级
5.04
最大集电极电流 (IC)
0.6 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
100
JEDEC-95代码
TO-236AB
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
200 MHz
最大关闭时间(toff)
100 ns
最大开启时间(吨)
45 ns
Base Number Matches
1
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