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ONSEMI MMBT3904LT1G
中文翻译
General Purpose Transistor
通用晶体管
晶体晶体管
ONSEMI MMBT3904LT1G
中文翻译
General Purpose Transistor (NPN Silicon)
通用晶体管( NPN硅)
晶体晶体管

MMBT3904LT1G详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
End Of Life
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
6.19
最大集电极电流 (IC)
0.2 A
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
参考标准
AEC-Q101
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
300 MHz
最大关闭时间(toff)
250 ns
最大开启时间(吨)
70 ns
Base Number Matches
1
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