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ONSEMI MMBT3906LT1G
中文翻译
General Purpose Transistor
通用晶体管
晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
ONSEMI MMBT3906LT1G
中文翻译
General Purpose Transistor PNP Silicon
通用晶体管PNP硅
晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
ONSEMI MMBT3906LT1G
中文翻译
General Purpose Transistor(PNP Silicon)
通用晶体管( PNP硅)
晶体小信号双极晶体管光电二极管PC

MMBT3906LT1G详细参数

Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
IHS 制造商
ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SOT-23, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
318-08
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
Factory Lead Time
1 week
风险等级
0.52
Samacsys Confidence
3
Samacsys Status
Released
2D Presentation
Schematic Symbol
PCB Footprint
3D View
Samacsys PartID
171065
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count
3
Samacsys Part Category
Integrated Circuit
Samacsys Package Category
SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name
SOT-23 (TO-236)
Samacsys Released Date
2015-07-01 13:11:37
Is Samacsys
N
最大集电极电流 (IC)
0.2 A
基于收集器的最大容量
4.5 pF
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-236
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
250 MHz
最大关闭时间(toff)
300 ns
最大开启时间(吨)
70 ns
VCEsat-Max
0.4 V
Base Number Matches
1
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