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MMBV809LT3G产品参数
型号:MMBV809LT3G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOT-23
包装说明:LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:CASE 318-08
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.13
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:20 V
配置:SINGLE
二极管电容容差:15.09%
最小二极管电容比:1.8
标称二极管电容:5.3 pF
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.225 W
认证状态:Not Qualified
最小质量因数:75
最大重复峰值反向电压:20 V
子类别:Varactors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
变容二极管分类:HYPERABRUPT
Base Number Matches:1
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