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MMBZ33VALT3产品参数
型号:MMBZ33VALT3
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:CASE 318-08
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.63
最大击穿电压:34.65 V
最小击穿电压:31.35 V
击穿电压标称值:33 V
最大钳位电压:46 V
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:40 W
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.225 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:26 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
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