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  • MMBZ5V6ALT1/SZMMBZ5V6ALT1图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • MMBZ5V6ALT1/SZMMBZ5V6ALT1
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  • 厂家ON / ON Semiconductor / () 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • MMBZ5V6ALT1/SZMMBZ5V6ALT1
  • 数量17050 
  • 厂家ON/ONSemicon 
  • 封装SOT-23 
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • MMBZ5V6ALT1/SZMMBZ5V6ALT1
  • 数量8650000 
  • 厂家ON/ONSemiconductor/安森美原摩托罗拉 
  • 封装SOT-23 
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  • MMBZ5V6ALT1/SZMMBZ5V6ALT1图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • MMBZ5V6ALT1/SZMMBZ5V6ALT1
  • 数量6200 
  • 厂家ON/ONSemiconductor/安森美原摩托罗拉 
  • 封装SOT-23 
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MMBZ5V6ALT116产品参数
型号:MMBZ5V6ALT116
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:7.9
其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:5.88 V
最小击穿电压:5.32 V
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:24 W
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.225 W
参考标准:IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压:3 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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