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MMDT2222V-7产品参数
型号:MMDT2222V-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:19 weeks
风险等级:1.64
最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz
最大关闭时间(toff):285 ns
最大开启时间(吨):35 ns
Base Number Matches:1
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