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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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MMJT350T1G产品参数
型号:MMJT350T1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TO-261AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4
制造商包装代码:0.0318
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:2 weeks
风险等级:1.17
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-261AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2.75 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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