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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市新力诚科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装原厂封装 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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MMUN2113LT1产品参数
型号:MMUN2113LT1
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOT-23
包装说明:CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:CASE 318-08
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.18
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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