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  • MRF18090BR3图
  • 深圳市富科达科技有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • MRF18090BR3
  • 数量12100 
  • 厂家M/A-COM 
  • 封装高频管/射频管 
  • 批号2020+ 
  • 专营高频管,全新原装现货特价热卖"
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MRF18090BR3产品参数
型号:MRF18090BR3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2
制造商包装代码:CASE 465B-03
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.13
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):250 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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