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MRF581G产品参数
型号:MRF581G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M238, MACRO-X-4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.36
其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:3 pF
集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-PRDB-F4
JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5000 MHz
Base Number Matches:1
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