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| 型号: | MRF6S9125NBR1 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 零件包装代码： | TO-272 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4 |
| 针数： | 4 |
| 制造商包装代码： | CASE 1484-04 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.27 |
| 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 68 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-272 |
| JESD-30 代码： | R-PDFM-F4 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 398 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
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