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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 大源实业科技有限公司

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  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装H11 
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  • 原装正品 公司部分现货 量大可订货
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MRF8S18260HSR6产品参数
型号:MRF8S18260HSR6
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
包装说明:FLATPACK, R-CDFP-F8
针数:8
制造商包装代码:CASE 375J-02
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.63
外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:65 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFP-F8
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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