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MSMCGLCE18AE3产品参数
型号:MSMCGLCE18AE3
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-215AB
包装说明:R-PDSO-G2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.25
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:22.1 V
最小击穿电压:20 V
击穿电压标称值:21.05 V
最大钳位电压:29.2 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-215AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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