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| 型号: | MT16LSDT6464AG-13E |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer |
| IHS 制造商： | MICRON TECHNOLOGY INC |
| 包装说明： | DIMM, DIMM168 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 143 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDMA-N168 |
| 内存密度： | 4294967296 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 端子数量： | 168 |
| 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX64 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM168 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 |
| 最大待机电流： | 0.032 A |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 4.56 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
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