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  • MT18VDDF12872HY-40BD1图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • MT18VDDF12872HY-40BD1
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MT18VDDF12872HY-40BF1产品参数
型号:MT18VDDF12872HY-40BF1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.68
最长访问时间:0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N200
内存密度:9663676416 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72
端子数量:200
字数:134217728 words
字数代码:128000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128MX72
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM200,24
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
最大待机电流:0.09 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:6.21 mA
标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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