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MT29F1G08ABBDAH4-IT:D产品参数
型号:MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA63,10X12,32
针数:63
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:8.01
最长访问时间:25 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
JESD-609代码:e1
长度:11 mm
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:1K
端子数量:63
字数:134217728 words
字数代码:128000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:2K words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm
部门规模:128K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO
类型:SLC NAND TYPE
宽度:9 mm
Base Number Matches:1
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