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  • MT29F8G08MADWC-ET图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

     该会员已使用本站16年以上
  • MT29F8G08MADWC-ET
  • 数量850 
  • 厂家MICRON 
  • 封装12 
  • 批号24+ 
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  • 755-83950019 QQ:3003818780QQ:3003819484
  • MT29F8G08MADWC-ET:D图
  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

     该会员已使用本站7年以上
  • MT29F8G08MADWC-ET:D
  • 数量68000 
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配单直通车
MT29F8G16ABACAH4-IT产品参数
型号:MT29F8G16ABACAH4-IT
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明:VFBGA-63
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76
命令用户界面:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
长度:11 mm
内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:4K
端子数量:63
字数:536870912 words
字数代码:512000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
页面大小:2K words
并行/串行:PARALLEL
编程电压:3.3 V
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.25 mm
部门规模:128K
最大待机电流:0.0001 A
最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
类型:SLC NAND TYPE
宽度:9 mm
Base Number Matches:1
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