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  • MT46V32M16BN-5B:FTR图
  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • MT46V32M16BN-5B:FTR
  • 数量11923 
  • 厂家MICRON【原装正品专卖★价格最低】 
  • 封装60-FBGA 
  • 批号▊ NEW ▊ 
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MT46V32M16BN-5BIT:F产品参数
型号:MT46V32M16BN-5BIT:F
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.34
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e1
长度:12.5 mm
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:60
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.005 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.48 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10 mm
Base Number Matches:1
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