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| 型号: | MT4HTF6464HZ-80EXX |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | MICRON TECHNOLOGY INC |
| 零件包装代码： | SODIMM |
| 包装说明： | DIMM, |
| 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.73 |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 其他特性： | WD-MAX |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 67.6 mm |
| 内存密度： | 4294967296 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 |
| 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX64 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 30.15 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | GOLD |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG |
| 宽度： | 2.45 mm |
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