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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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MT4LSDT464AG-10E产品参数
型号:MT4LSDT464AG-10E
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64
端子数量:168
字数:4194304 words
字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4MX64
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
最大待机电流:0.008 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.76 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
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