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  • MT53D4DANW-DC TR图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • MT53D4DANW-DC TR
  • 数量6500000 
  • 厂家美光 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
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MT53E256M32D2DS-046AAT:B产品参数
型号:MT53E256M32D2DS-046AAT:B
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明:FBGA
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83
JESD-30 代码:X-PBGA-B
内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端口数量:1
字数:268435456 words
字数代码:256000000
工作模式:SYNCHRONOUS
组织:256MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子形式:BALL
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
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