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  • MT8JTF12864AZ-1G4G1图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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MT8JTF12864AZ-1G4G1产品参数
型号:MT8JTF12864AZ-1G4G1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.83
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK):667 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240
长度:133.35 mm
内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:240
字数:134217728 words
字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128MX64
输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:30.5 mm
自我刷新:YES
最大待机电流:0.096 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:3.92 mA
最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm
端子位置:DUAL
宽度:2.7 mm
Base Number Matches:1
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