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型号: | MT8VDDT6464HY-335F3 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | MICRON TECHNOLOGY INC |
零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIMM, DIMM200,24 |
针数: | 200 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.62 |
访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
最大时钟频率 (fCLK): | 167 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N200 |
JESD-609代码: | e4 |
长度: | 67.6 mm |
内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 200 |
字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 64MX8 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM200,24 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 31.9 mm |
自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.04 A |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 3.24 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Gold (Au) |
端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.6 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 3.8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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