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  • MT9LSDT872G-133G3图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • MT9LSDT872G-133G3
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MT9LSDT872Y-10E产品参数
型号:MT9LSDT872Y-10E
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75
最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168
内存密度:603979776 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:72
端子数量:168
字数:8388608 words
字数代码:8000000
最高工作温度:55 °C
最低工作温度:
组织:8MX72
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
最大待机电流:0.018 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:1.71 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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