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| 型号: | MT9VDDT6472HY-335F2 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SODIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.81 |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 67.6 mm |
| 内存密度： | 4831838208 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 |
| 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX72 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM200,24 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 3.8 mm |
| 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.045 A |
| 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 3.645 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Gold (Au) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 31.75 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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