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    mtp10n10elg

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    八零友创集团0755-88917717/88917797/88279729███【坚持原装正品】████ 和我即时交谈 和我即时交谈

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    MTP10N10ELG

    厂家ON Semiconductor
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    封装代理ON

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    MTP10N10ELG

    厂家ON/安森美
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    飞弛宏元器件0755--83505153/83521389 和我即时交谈 和我即时交谈

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    MTP10N10ELG

    厂家ON
    批号2018+
    数量5250
    封装TO-220 3 LEAD STANDA

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MTP10N10ELG产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 1.75W(Ta),40W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):220 毫欧 @ 5A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15nC @ 5V

Vgs(最大值):±15V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1040pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.75W(Ta),40W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:MTP10N10ELGOS

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