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| 型号: | MTV10N100E |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | MOTOROLA INC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 90 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 250 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 380 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 180 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
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