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  • MU9C5480L-70DC图
  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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MU9C5480L-70DC产品参数
型号:MU9C5480L-70DC
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:QCCJ, LDCC44,.7SQ
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82
最长访问时间:52 ns
其他特性:BIT MASKING; LANCAM
JESD-30 代码:S-PQCC-J44
JESD-609代码:e0
内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度:64
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:44
字数:512 words
字数代码:512
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512X64
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC44,.7SQ
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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