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型号: | MUBW50-17T8 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | MODULE-24 |
针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.73 |
其他特性: | UL RECOGNIZED |
外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 74 A |
集电极-发射极最大电压: | 1700 V |
配置: | COMPLEX |
门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X24 |
JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 7 |
端子数量: | 24 |
最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 290 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 980 ns |
标称接通时间 (ton): | 300 ns |
VCEsat-Max: | 2.4 V |
Base Number Matches: | 1 |
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