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MUN5236DW1T1G产品参数
型号:MUN5236DW1T1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
制造商包装代码:419B-02
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.38
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.385 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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