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MUR20010CT产品参数
型号:MUR20010CT
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:GENESIC SEMICONDUCTOR INC
包装说明:R-PUFM-X2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.54
Is Samacsys:N
应用:SUPER FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流:800 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:100 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:25 µA
最大反向恢复时间:0.075 µs
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
Base Number Matches:1
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