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MUR810产品参数
型号:MUR810
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.27
Is Samacsys:N
其他特性:FREEWHEELING DIODE
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.975 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:50 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:100 µA
最大反向恢复时间:0.03 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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