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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • MURA60060CT图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 上海硅威科技有限公司

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配单直通车
MURB1010CT-BP产品参数
型号:MURB1010CT-BP
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS CORP
包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.72
其他特性:LOW POWER LOSS
应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.95 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1
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