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  • MUSES72323V-TE1图
  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 厂家Nisshinbo Micro Devices Inc. 
  • 封装 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MUSES72323V-TE1
  • 数量2368 
  • 厂家NJR-日本无线 
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  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • MUSES72323V-TE1
  • 数量5897 
  • 厂家NJR 
  • 封装32-SSOP 
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  • 深圳市恒意法科技有限公司

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  • MUSES72323V-TE1
  • 数量9000 
  • 厂家NJR Corporation/NJRC 
  • 封装32-LSSOP(0.220,5.60mm 宽) 
  • 批号21+ 
  • 正规渠道/品质保证/原装正品现货
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MUSES8920D产品参数
型号:MUSES8920D
生命周期:Active
IHS 制造商:NEW JAPAN RADIO CO LTD
包装说明:DIP-8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.31
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.00025 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.00025 µA
标称共模抑制比:110 dB
频率补偿:YES
最大输入失调电压:5000 µV
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
长度:8.8 mm
低-偏置:YES
低-失调:NO
微功率:NO
负供电电压上限:-18 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
功率:NO
电源:+-15 V
可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.25 mm
标称压摆率:25 V/us
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:12 mA
供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO
技术:JFET
温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
标称均一增益带宽:11000 kHz
宽带:NO
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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