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| 型号: | MVAM115 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ASI SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | O-PBCY-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 12% |
| 最小二极管电容比： | 15 |
| 标称二极管电容： | 500 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 150 |
| 最大重复峰值反向电压： | 18 V |
| 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
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