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MWI200-06A8产品参数
型号:MWI200-06A8
是否无铅: 不含铅
生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
针数:19
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):225 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X19
JESD-609代码:e3
元件数量:6
端子数量:19
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):675 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):340 ns
标称接通时间 (ton):230 ns
VCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1
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