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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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MWI75-12T7T产品参数
型号:MWI75-12T7T
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:LITTELFUSE INC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.17
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):110 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X21
元件数量:6
端子数量:21
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):355 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):610 ns
标称接通时间 (ton):340 ns
VCEsat-Max:2.15 V
Base Number Matches:1
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