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  • MX25L12835FZNI-10G图
  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 专营MXIC进口原装正品假一赔十可開17增值稅票
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  • 集好芯城

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • 原厂直供现货价优十年信誉保证每一片都来自原厂原装
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Macronix 
  • 封装原厂原装 
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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 厂家Macronix 
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  • 长荣电子

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  • 厂家 
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配单直通车
MX25L12835FZNI-10G产品参数
型号:MX25L12835FZNI-10G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:WSON-8
Reach Compliance Code:unknown
Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:7.92
其他特性:IT ALSO CONFIGURED AS 128M X 1
备用内存宽度:2
最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-N8
JESD-609代码:e3
长度:6 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:4
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:8
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HVSON
封装等效代码:SOLCC8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.8 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00002 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE
宽度:5 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1
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