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MX25L12845EMI-10G产品参数
型号:MX25L12845EMI-10G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TSSOP
包装说明:SOP, SOP16,.4
针数:16
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:7.92
其他特性:ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度:2
最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G16
长度:10.3 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:4
功能数量:1
端子数量:16
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP16,.4
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.65 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00004 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE
宽度:7.52 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
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